高压MOS（500~1050V）

500V-900V SJ MOSFET 

• 结构：将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别 设计在不同区域，器件关断时，让低掺杂的外延层 保证要求的耐压等级；器件导通时，形成一个高掺 杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路。

•  特点：综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是 在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因 此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的 特性。通态电阻小，通态损耗小；结电容小，开关 损耗小；同等功率下封装小，有利于电源小型化。 它的生产工艺比较复杂，目前N+沟槽制作主要有多 层外延和直接开沟槽两种工艺路线，前者工艺相对 容易控制，但工艺程序多，成本高；后者成本低， 但不易保证沟槽内性能的一致性。

• 应用场合：500V-900V高压MOSFET。

• 主要封装：TO-252、TO-251、TO-263、TO-220F、TO-220FL。

500-800V N-Channel SJ-III MOSFET

• 我们能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

• SJ-III系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。

• 广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。

• 主要封装：TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247。

500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET

• 我们能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV 系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。

• 针对快速开关电路，第四代超结特别优化了开关性能，提供了更加稳健的开关特性，更好的EMI表现，为系统设计提供更大设计裕量。同时该系列产品还提供良好的抗静电能力，为设计人员提供更加可靠的系统稳定性。

• 广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。

• 主要封装：TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8。