新品速递 | 英飞凌本周新品合集重磅来袭！

3月7日，英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。

CoolSiC 650v-1200v

CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代MOSFET产品相比，采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。

英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的SiC MOSFET产品技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的封装控制以及更出色的性能，进一步提升了基于 CoolSiC™ G2 的设计潜力。

英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有的关键功率技术，可提供灵活的设计和领先的应用知识，满足现代设计的期待和需求。在推动低碳化的过程中，基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料的创新半导体已成为能源高效利用的关键。

英飞凌无芯变压器

英飞凌的固态隔离器产品可使固态继电器控制1000 V和100 A以上的负载。隔离器性能和可靠性的提升让无芯变压器技术适用于先进电池管理、储能、可再生能源系统，以及工业和楼宇自动化系统应用。凭借英飞凌的固态隔离式驱动器，工程师可以进一步提高电子和机电系统的效率。

在与英飞凌的CoolMOS S7开关配合使用时，这些隔离器实现的开关设计，其电阻远低于光驱动固态解决方案。这能够延长系统设计的寿命并降低成本。与所有固态隔离器一样，这些半导体器件的性能同样优于电磁继电器，例如降低40%的功耗、以及摒除机械组件以实现更高的可靠性等。

该隔离器系列器件兼容英飞凌丰富的开关产品，包括CoolMOS S7、OptiMOSTM和线性FET组合。

3月13日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET系列具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。

采用TO247-4-4封装的2000V CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列适用于最高1500 VDC的高直流母线系统。与1700V SiC MOSFET产品相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。

除了2000V CoolSiC™ MOSFET系列之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于2024年第三季度推出采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000V二极管产品组合，随后将于2024年第四季度推出采用TO-247-2封装的2000V CoolSiC™ MOSFET产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。

供货情况

CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列现已上市。另外，英飞凌还提供相应的评估板EVAL-COOLSIC™-2KVHCC。开发者可以将该评估板作为一个精确的通用测试平台，通过双脉冲或连续PWM操作来评估所有CoolSiC™ MOSFET和2000V二极管以及EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx产品系列。

3月14日，英飞凌科技股份公司推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该MOSFET产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HERIC、降压/升压和移相全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用(包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等)和汽车领域(包括车载充电器(OBC)、直流-直流转换器等)。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值(FOM)，在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压(VGS(th)，典型值为4.3V)与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术，在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计加上英飞凌的认证标准保证了长期稳定的性能。

全新CoolSiC MOSFET 750V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体MOSFET系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了MOSFET系统成本。值得一提的是，该MOSFET产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。

供货情况

适用于汽车应用的CoolSiC MOSFET 750V G1采用QDPAK TSC、D2PAK-7L和TO-247-4封装;适用于工业应用的CoolSiC MOSFET 750V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封装。